COMPOSANTS A SEMICONDUCTEUR GRAND GAP EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Public concerné :

•  Tout public

Durée :

•   3 jours

Date/lieux :

•  Nous consulter
•  Non défini

Equipe pédagogique :

•  Spécialiste du domaine

Approche pédagogique :

•  Alternance de cours et de travaux pratiques

Renseignement pédagogique :

•  Phung Luong-viet
•  Luong-viet.phung@insa-lyon.fr

Frais de participation individuels :

•   Nous consulter

Renseignements et inscriptions :

•  Inscription : Service de Formation Continue de l’INSA de Lyon
•  Tél : +33(0)
•  Fax : +33(0)
•  Email : luong-viet.phung@insa-lyon.fr
•  Date limite d'inscription : 1 mois avant

Nombre de places limitées :

•  Min/Max : 8 à 16 personnes

Prérequis :

• Bases d’électricité, des composants électroniques principaux et de l’électronique de puissance

Compétences acquises :

• Comprendre et mettre en œuvre des composants de puissance grand gap (carbure
  de silicium, nitrure de gallium)

Programme :

JOUR 1 :
• Rappel des principaux composants de puissance en silicium
• Qu’est-ce qu’un semi-conducteur à grand gap et son intérêt en électronique de puissance ?
• Diode Shottky et JBS
JOUR 2 :
• Thyristor
• Transistor JFET
• Transistor MOSFET
• Notions d’étage de commande rapprochée
• Simulation de la commutation d’une cellule de commutation à composants grand gap
JOUR 3 :
• Transistor HEMPT GaN
• Mise en œuvre pratique
• Analyse d’un bras d’onduleur à transistors GaN
• Mesures autour d’un démonstrateur

Validation :

Cette formation constitue une action d’adaptation et de développement des compétences. Elle donne lieu à la délivrance d’une attestation de participation. Une évaluation de fin de formation permet de mesurer la satisfaction des stagiaires, notamment concernant l’atteinte des objectifs pédagogiques.