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MICRO-ELECTRONIQUES (BASES)

Objectif - Compétences acquises :

A l’issue de cette formation, le stagiaire sera capable de :
• Décrire les bases de la physique des matériaux semi-conducteurs et quelques notions fondamentales sur la physique des composants
• Maîtriser la modélisation et la physique des composants
• Lister les procédés de fabrication des composants semi-conducteurs
• Utiliser les outils CAO de simulation des procédés

Public concerné :

  •  Tout public

Durée :
  •   4 jours

Date/lieux :

  •  Nous consulter
  •  Non défini

Equipe pédagogique :

  •  Spécialiste du domaine

Approche pédagogique :

  •  Alternance de cours et de travaux pratiques

Renseignement pédagogique :

  •  PANNIER Philippe
  •  philippe.pannier@univ-amu.fr

Frais de participation individuels :

  •  1800 € HT

Renseignements et inscriptions :

  •  Inscription : Formation Professionnelle Continue d’Aix- Marseille Université
  •  Tél : +33(0) 4 42 60 43 04
  •  Fax : +33(0) 4 42 60 43 04
  •  Email : fpc-entreprises@univ-amu.fr
  •  Date limite d'inscription : 1 mois avant

Nombre de places limitées :

  •  Min/Max : 0 à 8 personnes

Prérequis :

  • Connaissances préalable en électronique et physique

Compétences acquises :

    • Décrire les bases de la physique des matériaux semi-conducteurs et quelques notions fondamentales sur la physique des composants • Maîtriser la modélisation et la physique des composants • Lister les procédés de fabrication des composants semi-conducteurs • Utiliser les outils CAO de simulation des procédés

Programme :

    • Introduction aux dispositifs de la micro-électronique. 

    • Introduction à la théorie des bandes d’énergie dans les semi-conducteurs. 

    • Semi-conducteurs à l’équilibre – statistique de Fermi-dirac. 

    • Transport des porteurs de charges – dérive et diffusion des porteurs. 

    • Perturbations fortes de l’équilibre – recombinaison et durée de vie des porteurs.

    • Les étapes technologiques. 

    • Les méthodes Szcholaski / floatingzone, éléments de thermodynamique et croissance épitaxiale. 

    • Le dopage : les lois de Fick, l’oxydation et l’implantation ionique. les techniques de dépôt.
    • CAO : présentation générale de l’outil, simulation process de capacité mos et simulation électrique associée.

    • Etude des jonctions drain/substrat et source/substrat d’un transistor moS.

    • Etude des effets tunnels, c(v) avec correction quantique. 


Validation :

    Cette formation constitue une action d’adaptation et de développement des compétences. Elle donne lieu à la délivrance d’une attestation de participation. Une évaluation de fin de formation permet de mesurer la satisfaction des stagiaires, notamment concernant l’atteinte des objectifs pédagogiques.

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