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TECHNIQUES DE MESURES COMPOSANTS ACTIFS (RF) : Transistors MOSFET ou HEMT

Objectif - Compétences acquises :

A l’issue de la formation, le stagiaire sera capable de :
• Comprendre la notiona de schéma équivalent de transistors
• Distinguer différents gains d’un transistor et les performances extrinsèques et intrinsèques
• Appliquer les techniques d’épluchage ou de « de-embedding »
• Utiliser de manière autonome un banc de mesure RF
• Extraire les performances d’un transistor à effet de champ

Public concerné :

  •  Tout public

Durée :
  •   3 jours

Date/lieux :

  •  Nous consulter
  •  Non défini

Equipe pédagogique :

  •  • Spécialiste du domaine – Enseignants chercheurs Université Lille 1 et IEMN

Approche pédagogique :

  •  • Alternance de cours et de travaux pratiques • 2 Enseignants-Chercheurs en permanence

Renseignement pédagogique :

  •  HAPPY Henri
  •  henri.happy@iemn.univ-lille1.fr

Frais de participation individuels :

  •  2100 € HT

Renseignements et inscriptions :

  •  Inscription : Service de Formation Continue de Lille
  •  Tél : +33(0) 3 20 19 78 41
  •  Fax : +33(0) 3 20 19 78 92
  •  Email : henri.happy@iemn.univ-lille1.fr
  •  Date limite d'inscription : 1 mois avant

Nombre de places limitées :

  •  Min/Max : 4 à 6 personnes

Prérequis :

  • Connaissances de base sur les mesures RF de composants passifs

Compétences acquises :

    • Comprendre la notiona de schéma équivalent de transistors • Distinguer différents gains d’un transistor et les performances extrinsèques et intrinsèques • Appliquer les techniques d’épluchage ou de « de-embedding » • Utiliser de manière autonome un banc de mesure RF • Extraire les performances d’un transistor à effet de champ

Programme :

    JOUR 1
    • Les transistors RF
    • Notion de schéma équivalent
    • Les différents facteurs de mérite d’un transistor RF
    • Mise en application en utilisant un analyseur vectoriel Rhode&Schwarz 9kHz-40GHz

    JOUR 2
    • Principe des techniques d’épluchage ou de de-embedding
    • Mise en application
    - Mesure de paramètres S du transistor (mesure de type « on-wafer » avec des pointes hyperfréquences)
    - Mesure des structures de d’épluchage (de-embedding)
    - Utilisation de l’outil ICCAP pour acquisition de données et analyse de mesures

    JOUR 3
    • Mise en applications interactive allant le sens de l’autonomie des stagiaires

    Possibilités de formation à la carte – Nous contacter

Validation :

    Cette formation constitue une action d’adaptation et de développement des compétences. Elle donne lieu à la délivrance d’une attestation de participation. Une évaluation de fin de formation permet de mesurer la satisfaction des stagiaires, notamment concernant l’atteinte des objectifs pédagogiques.

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